1月14日，亚太地区主要股指同步走高，A股市场早盘迎来集体反弹，上证综指涨幅超1%，创业板指高开后持续上行，涨幅突破2%，科创50指数盘中拉升超4%。港股市场早盘三大指数同样高开高走，延续四连涨态势。外围市场中，日经225指数上涨1.55%，韩国综合指数上涨0.27%。资本市场回暖态势持续扩散，资金对高成长性科技赛道的配置偏好愈发清晰，中国科技板块持续获得资金青睐。2026年开年以来，A股、港股及美股市场中的中国科技股表现强势，吸引大额资金持续流入，半导体设备、卫星、软件等相关主题ETF，港股科技类ETF以及多只美股上市的中国科技ETF规模均实现稳步扩张。

　　在此轮席卷亚太市场的科技行情中，存储芯片、半导体设备等板块的表现尤为突出。作为半导体产业链的核心环节，存储芯片领域的自主化突破始终是市场关注的焦点，而年内最受资本市场期待的IPO项目也已临近落地：公开信息显示，国产DRAM龙头企业长鑫科技的IPO申请已于2025年12月30日正式获得上海证券交易所受理。

　　存储芯片是半导体市场规模最大的核心品类，中国则是全球DRAM市场最大的单一消费国，市场空间极为广阔。长鑫科技作为中国大陆唯一实现DRAM大规模量产的IDM(垂直整合制造)企业，不仅成功打破国际巨头的垄断格局，更通过全产业链布局推动上下游产业协同发展，构建起覆盖国产半导体设备、材料、制造/代工、封测及设计的完整产业生态。仅其供应链体系内的相关企业，就占据了中国半导体产业的半壁江山。随着长鑫科技IPO落地后业务规模与市场份额的持续扩张，其产业链上下游企业有望同步分享行业发展红利。

　　资本市场已提前对这一趋势给出积极反馈。长鑫科技披露招股书后的首个交易日开盘，其相关存储芯片概念股(如合肥城建、雅克科技等)及半导体设备/材料股(如至纯科技、艾森股份等)均出现明显上涨，部分个股实现涨停。此外，1月12日，上证科创板半导体材料设备主题指数上涨0.91%，科创半导体ETF(588170)上涨0.63%，当日资金净流入3.69亿元，持续保持"吸金"态势。市场的积极反应，充分印证了长鑫科技以IDM模式承担产业链"链主"角色所释放的强大带动效应。业内预期，若公司成功上市，有望成为驱动半导体全产业链升级与价值提升的核心支撑，其产业提振作用将逐步凸显。

　　“跳代研发”奠定产品硬实力

　　扎实的产品硬实力是长鑫科技抵御行业周期波动、把握行业景气机遇的核心保障。公司主要产品涵盖以DDR和LPDDR系列为主的芯片颗粒及模组，在技术研发上采用高效的"跳代研发"策略：2019年首次推出自主设计生产的8Gb DDR4产品，实现国产DRAM产业从无到有的历史性突破;此后产品迭代进程持续提速，截至2025年底，已成功研发并推出高性能LPDDR5X和DDR5系列产品，两款核心产品性能均达到国际先进水平。

　　其中，LPDDR5X产品最高速率可达10667Mbps，较上一代产品提升66%，可精准匹配高端移动终端对高速传输与低功耗的双重严苛需求;DDR5产品速率达8000Mbps，单颗最大容量24Gb，广泛适用于PC、服务器及数据中心等场景，推出的7大模组矩阵可充分满足多元应用场景下的海量算力需求。目前，长鑫科技的核心客户已覆盖阿里云、字节跳动、腾讯、联想、小米等国内主流科技企业。

　　产能布局方面，长鑫科技在合肥、北京两地建成3座12英寸DRAM晶圆厂，形成稳定的规模化制造能力。2022年至2025年上半年，公司产能利用率从85.45%持续攀升至94.63%的高位水平，为精准把握行业景气周期提供了坚实的产能支撑。从快速的产品技术跃迁到稳定的规模化制造，长鑫科技正凭借自主可控的产品硬实力，巩固其在全球存储供应链中的关键地位。

　　从“卡脖子”到“全球第四”，盈利拐点明晰

　　一直以来，全球DRAM市场被三星、SK海力士、美光三大国际巨头垄断，合计市场份额超90%。作为全球最大的DRAM消费国之一，中国在该领域长期高度依赖进口，DRAM已成为国产芯片供应链中的关键"卡脖子"环节。

　　DRAM行业具有极高的技术壁垒与资金准入门槛，头部企业可通过规模效应摊薄成本、巩固竞争优势，并借助持续的技术迭代与产品升级，挤压后发企业的生存空间，导致后发企业易陷入"一步落后、步步被动"的困境。长鑫科技作为中国大陆唯一实现DRAM自主研发与大规模量产的企业，2019年8Gb DDR4产品的推出，实现了中国内地DRAM产业"从0到1"的突破。从产能与出货量来看，公司已跻身全球第四、中国第一，2025年第二季度全球市场份额提升至3.97%，成功打破全球DRAM产业的三巨头垄断格局。

　　高强度的研发投入为公司产品硬实力筑牢根基。即便在行业深度调整周期，长鑫科技仍顶住产能爬坡关键期面临的巨额固定资产折旧与研发投入双重压力，保持战略定力，持续加大研发投入。2022年至2025年上半年，公司累计研发投入达188.67亿元，占累计营业收入的33.11%;2025年上半年研发费用率高达23.71%，远高于同期半导体行业平均水平。截至2025年6月30日，公司累计拥有专利5589项，其中境内专利3116项、境外专利2473项，构建起后发企业短期内难以复制的核心技术壁垒，为持续的产品迭代与国际市场竞争提供了有力保障。

　　值得注意的是，伴随新一轮存储芯片行业超级涨价周期的启动，长鑫科技在2025年实现利润转正。作为典型的重资产、高研发投入行业，公司此前业绩呈现明显的行业周期性特征，2022年至2024年归母净利润虽处于亏损状态，但亏损规模持续收窄。2025年DRAM行业迎来景气反转，下半年正式进入行业"黄金周期"，产品价格快速上涨带动公司业绩大幅改善。招股书数据显示，公司营业收入从2022年的82.87亿元快速增长至2025年前三季度的320.84亿元;预计2025年全年归母净利润将实现20亿元至35亿元的正向增长，扣非归母净利润预计在28亿元至30亿元之间，实现根本性的盈利反转。

　　长鑫科技采用重资产的IDM模式，构建了覆盖研发、设计、制造、封测的全产业链能力，虽面临高额资本投入，却形成了技术闭环与供应链自主可控优势，在全球DRAM产业波动中发挥了“压舱石”作用。当前行业正步入景气周期，中信证券预计2025年第四季度至2026年上半年存储合约价涨幅将超越现货价，缺货态势可能延续至2027年，长鑫科技将持续受益于此轮上行周期。与此同时，作为国内DRAM领域关键企业，其上市不仅能拓宽融资渠道，更将带动本土供应链整体升级，推动中国半导体产业从“单点突破”迈向“全链强化”，并在资本市场树立硬科技企业的长期价值标杆，提振对半导体等高壁垒领域的投资信心。


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